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PECVD系統配置:1.1200度開(kāi)啟式雙溫區真空管式爐2.等離子射頻電源3.多路質(zhì)量流量控制系統4.真空系統(可選配中真空或高真空)
查看詳細介紹CVD管式爐設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶(hù)需要設計生產(chǎn),CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外,現在正在使用在許多行業(yè),包括納米電子學(xué)、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。
查看詳細介紹PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
查看詳細介紹產(chǎn)品用途:此款CVD系統適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長(cháng)、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結真空淬火退火,快速降溫等工藝實(shí)驗。
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