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這些有關(guān)小型PECVD系統的特點(diǎn),您知道幾點(diǎn)?

更新時(shí)間:2020-06-08    點(diǎn)擊次數:6508
  小型PECVD系統就是為了使傳統的化學(xué)氣象沉積反應溫度降低,普通CVD設備的沉積溫度大多在900℃左右,而在普通CVD裝置的前端加入RF射頻感應裝置將反應氣體電離,形成等離子體,利用等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應,可以使化學(xué)氣相沉積的溫度降到400℃左右,所以這個(gè)系統稱(chēng)為增強型化學(xué)氣相沉積系統。
 
  該型號PECVD綜合了國內大多數廠(chǎng)家的PECVD系統的優(yōu)點(diǎn),觸摸屏集中一鍵控制,實(shí)驗證明此結構沉積速度快,成膜質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂。而且控制部分采用了成儀自主研發(fā)的實(shí)驗電爐AIO全自動(dòng)智能控制系統,使得操作更加簡(jiǎn)便,功能更加強大。
 
  產(chǎn)品用途:
  小型PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。

  主要特點(diǎn):
  1、智能氣路通斷:每路氣體均可定時(shí)通斷,自由切換,省時(shí)省力;
  2、射頻功率的定時(shí)控制:預先設定好功率的大小和打開(kāi)與關(guān)閉的時(shí)間,自動(dòng)運行;
  3、整機結構融為一體:整機長(cháng)度只有1.5米,移動(dòng)方便,避免分散組裝的困擾。
  4、AIO控制系統:加熱控制、等離子射頻控制、氣體流量控制、真空系統控制集中于一個(gè)7英寸觸摸屏進(jìn)行統一集中調節和操控,協(xié)調控制:成儀AIO控制系統;
  5、爐膛移動(dòng)速度可調:根據實(shí)驗要求,用戶(hù)可設定爐膛左右移動(dòng)的速度和距離,在沉積結束后爐膛可自動(dòng)移開(kāi)沉積區,使樣品快速冷卻;
  6、管內真空度自動(dòng)平衡:管內真空度實(shí)時(shí)監測,自動(dòng)平衡。PECVD工藝要求石英管內真空度通常在0.1~100Pa之間,該型號PECVD的AIO控制系統會(huì )通過(guò)真空泵的自動(dòng)啟停來(lái)維持用戶(hù)設定的管內真空度,使成膜效果達Z佳的均勻性。
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